[发明专利]一种垂直于基底生长的金红石单晶超细二氧化钛纳米线阵列的制备方法

摘要

本发明公开了一种垂直于基底生长的金红石单晶超细二氧化钛纳米线阵列的制备方法。其特征在于其制备过程包括以下步骤：(a)浸涂TiO2晶种的基底的制备；(b)将涂有TiO2晶种的基底放入钛酸酯的盐酸溶液，于100～300℃进行水热反应，然后将基底取出，清洗，干燥后即得金红石超细单晶二氧化钛纳米线阵列。本发明制备工艺简单、易行，制备过程不需任何模板及表面活性剂。本发明制备的金红石超细单晶二氧化钛纳米线阵列垂直于基底生长，与基底结合牢固。纳米线的直径仅为5～10nm，其长度可达10μm，可有效增大比表面积及减少光生载流子(电子-空穴对)在半导体内部的复合，提高量子产率效率。因此，在光降解污染物、光解水制氢、染料敏化太阳能电池、传感器等领域具有良好的应用前景。

主权项

一种垂直于基底生长的金红石超细单晶二氧化钛纳米线阵列的制备方法，其特征在于：制备步骤如下：(a)浸涂TiO2晶种的基底的制备：将清洗干净的基底浸泡在四氯化钛水解液中，取出并用乙醇洗涤、干燥，然后高温热处理；(b)将涂有TiO2晶种的基底放入钛酸酯的盐酸溶液，于100～300℃进行水热反应，然后将基底取出，清洗，干燥后即得金红石超细单晶二氧化钛纳米线阵列。