[发明专利]一种垂直于基底生长的金红石单晶超细二氧化钛纳米线阵列的制备方法

权利要求书

1.一种垂直于基底生长的金红石超细单晶二氧化钛纳米线阵列的制备方法，其特征在于：制备步骤如下：

(a)浸涂TiO₂晶种的基底的制备：将清洗干净的基底浸泡在四氯化钛水解液中，取出并用乙醇洗涤、干燥，然后高温热处理；

(b)将涂有TiO₂晶种的基底放入钛酸酯的盐酸溶液，于100～300℃进行水热反应，然后将基底取出，清洗，干燥后即得金红石超细单晶二氧化钛纳米线阵列。

2.如权利要求1所述一种垂直于基底生长的金红石超细单晶二氧化钛纳米线阵列的制备方法，其特征在于：基底浸泡在四氯化钛水解液中的浸泡时间为20min～48h，温度为0～75℃；所述基底是指普通玻璃、导电玻璃、硅片、钛片、石英或陶瓷；所述四氯化钛水解液是指将四氯化钛加入冰水所形成的TiO₂澄清透明溶胶。

3.如权利要求1所述一种垂直于基底生长的金红石超细单晶二氧化钛纳米线阵列的制备方法，其特征在于：热处理温度为200～800℃，热处理时间为20min～2h，热处理条件优选为550℃，30min。

4.如权利要求1所述一种垂直于基底生长的金红石超细单晶二氧化钛纳米线阵列的制备方法，其特征在于：所述钛酸酯是钛酸四正丁酯、钛酸二正丁酯或钛酸异丙醇酯的一种或两种以上之混合物。

5.如权利要求1所述一种垂直于基底生长的金红石超细单晶二氧化钛纳米线阵列的制备方法，其特征在于：水热反应在水热反应釜中进行，反应时间为1～48h；所述水热反应釜是指内衬四氟乙烯或钛的密闭反应容器。

6.如权利要求1，5所一种述垂直于基底生长的金红石超细单晶二氧化钛纳米线阵列的制备方法，其特征在于：所述水热反应过程可重复进行。