[发明专利]基于Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体/硅纳米孔柱阵列的太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体/硅纳米孔柱阵列的太阳能电池，包括上、下接触电极，其特征在于：还包括透明导电薄膜、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体、p型硅纳米孔柱阵列、p型单晶硅层以及金属导电薄膜层，其中p型硅纳米孔柱阵列覆盖在p型单晶硅层顶面，Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体与p型硅纳米孔柱阵列形成异质结；透明导电薄膜沉积在Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的表面，金属导电薄膜层沉积在p型单晶硅层底部。基于Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体/硅纳米孔柱阵列太阳能电池有制备工艺简单、积分反射率低、光电转换效率高等特点，在太阳能电池领域拥有良好的应用前景。

主权项

一种基于Ⅱ‑Ⅵ族化合物半导体/硅纳米孔柱阵列的太阳能电池，包括上、下接触电极，其特征在于：还包括透明导电薄膜、n型Ⅱ‑Ⅵ族化合物半导体、p型硅纳米孔柱阵列、p型单晶硅层以及金属导电薄膜层，其中p型硅纳米孔柱阵列覆盖在p型单晶硅层顶面，n型Ⅱ‑Ⅵ族化合物半导体与p型硅纳米孔柱阵列形成异质结；透明导电薄膜沉积在Ⅱ‑Ⅵ族化合物半导体的表面，金属导电薄膜层沉积在p型单晶硅层底面。