[发明专利]发光二极管晶粒及其制造方法、发光二极管封装结构有效
| 申请号： | 201110004141.7 | 申请日： | 2011-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN102593306A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 黄世晟;凃博闵;林雅雯 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/02;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种发光二极管晶粒，包括基板、半导体发光结构、透明导电层及绝缘层，基板包括相互绝缘的第一导电区与第二导电区，半导体发光结构包括导电衬底及P型三族氮化物半导体层，半导体发光结构的导电衬底固定于基板的第二导电区上，透明导电层连接基板的第一导电区与P型三族氮化物半导体层，透明导电层与基板的第二导电区电绝缘，该绝缘层使得透明导电层与半导体发光结构的除P型三族氮化物半导体层以外的其他部分绝缘。上述发光二极管晶粒的出光一侧不必设置遮光的厚金属电极及焊球，从而提高发光二极管晶粒的出光效率。本发明还公开一种发光二极管晶粒制造方法及发光二极管封装结构。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 晶粒 及其 制造 方法 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种发光二极管晶粒，包括半导体发光结构及透明导电层，半导体发光结构为垂直电导通结构，半导体发光结构包括导电衬底及P型三族氮化物半导体层，导电衬底及P型三族氮化物半导体层分别位于半导体发光结构的两端，其特征在于：还包括基板及绝缘层，基板包括相互绝缘的第一导电区与第二导电区，半导体发光结构的导电衬底固定于基板的第二导电区上，透明导电层连接基板的第一导电区与P型三族氮化物半导体层，透明导电层与基板的第二导电区电绝缘，该绝缘层使得透明导电层与半导体发光结构的除P型三族氮化物半导体层以外的其他部分绝缘。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司，未经展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110004141.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
