[发明专利]发光二极管晶粒及其制造方法、发光二极管封装结构

权利要求书

1.一种发光二极管晶粒，包括半导体发光结构及透明导电层，半导体发光结构为垂直电导通结构，半导体发光结构包括导电衬底及P型三族氮化物半导体层，导电衬底及P型三族氮化物半导体层分别位于半导体发光结构的两端，其特征在于：还包括基板及绝缘层，基板包括相互绝缘的第一导电区与第二导电区，半导体发光结构的导电衬底固定于基板的第二导电区上，透明导电层连接基板的第一导电区与P型三族氮化物半导体层，透明导电层与基板的第二导电区电绝缘，该绝缘层使得透明导电层与半导体发光结构的除P型三族氮化物半导体层以外的其他部分绝缘。

2.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于：绝缘层覆盖半导体发光结构及基板，绝缘层具有第一窗口及第二窗口，第一窗口位于P型三族氮化物半导体层且使得P型三族氮化物半导体层裸露，第二窗口位于基板的第一导电区且使得第一导电区裸露，透明导电层包括第一覆盖部、连接部及第二覆盖部，第一覆盖部覆盖绝缘层的第一窗口，第二覆盖部覆盖绝缘层的第二窗口，连接部连接于第一覆盖部与第二覆盖部之间。

3.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于：该半导体发光结构还包括布拉格反射层、N型三族氮化物半导体层及有源层，导电衬底、布拉格反射层、N型三族氮化物半导体层、有源层及P型三族氮化物半导体层依次层叠。

4.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于：该绝缘层使得透明导电层与半导体发光结构的侧壁绝缘。

5.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于：该导电衬底的材料为碳化硅或者硅。

6.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于：基板还包括第三导电区，第三导电区与第二导电区电绝缘，透明导电层连接基板的第三导电区与P型三族氮化物半导体层。

7.如权利要求6所述的发光二极管晶粒，其特征在于：绝缘层覆盖半导体发光结构及基板，绝缘层具有第一窗口及第二窗口，第一窗口位于P型三族氮化物半导体层且使得P型三族氮化物半导体层裸露，第二窗口位于基板的第一导电区及第三导电区且使得第一导电区及第三导电区裸露，透明导电层包括第一覆盖部、连接部及第二覆盖部，第一覆盖部覆盖绝缘层的第一窗口，第二覆盖部覆盖绝缘层的第二窗口，连接部连接于第一覆盖部与第二覆盖部之间。

8.一种发光二极管封装结构，包括基座、发光二极管晶粒及封装体，发光二极管晶粒固定于基座上，封装体包覆该发光二极管晶粒，其特征在于：该发光二极管晶粒为权利要求1至7中任意一项所述的发光二极管晶粒。

9.一种发光二极管晶粒制造方法，其包括以下步骤：

提供基板，该基板包括相互绝缘的第一导电区与第二导电区；

提供半导体发光结构，该半导体发光结构为垂直电导通结构，半导体发光结构包括导电衬底及P型三族氮化物半导体层，导电衬底及P型三族氮化物半导体层分别位于半导体发光结构的两端，将半导体发光结构的导电衬底固定于基板的第二导电区上；

于基板及半导体发光结构上形成绝缘层；

绝缘层上形成第一窗口及第二窗口，第一窗口位于P型三族氮化物半导体层且使得P型三族氮化物半导体层裸露，第二窗口位于基板的第一导电区且使得第一导电区裸露；

形成透明导电层，透明导电层连接基板的第一导电区与P型三族氮化物半导体层。

10.如权利要求9所述的发光二极管晶粒制造方法，其特征在于：该透明导电层包括第一覆盖部、连接部及第二覆盖部，第一覆盖部覆盖绝缘层的第一窗口，第二覆盖部覆盖绝缘层的第二窗口，连接部连接于第一覆盖部与第二覆盖部之间。

11.如权利要求9所述的发光二极管晶粒制造方法，其特征在于：基板还包括第三导电区，第三导电区与第二导电区电绝缘，第二窗口位于基板的第三导电区且使得第三导电区裸露，透明导电层连接基板的第三导电区与P型三族氮化物半导体层，透明导电层包括第一覆盖部、连接部及第二覆盖部，第一覆盖部覆盖绝缘层的第一窗口，第二覆盖部覆盖绝缘层的第二窗口，连接部连接于第一覆盖部与第二覆盖部之间。

12.一种发光二极管封装结构，包括发光二极管晶粒及封装体，其特征在于：该发光二极管晶粒为权利要求1至7中任意一项所述的发光二极管晶粒，封装体位于发光二极管晶粒的基板上且包覆该发光二极管晶粒的半导体发光结构、绝缘层及透明导电层。