[发明专利]碳化硅半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种碳化硅半导体装置的制造方法，能够精度良好且低成本地进行防止在退火处理时硅以及碳发生蒸发的保护膜的膜厚测定。在衬底保持器（35）上搭载晶片（WF）并置于成膜炉（32）内，利用真空泵经由气体排出部（33）对成膜炉（32）内进行真空排气，在极力除去残存的氧之后，一边经由气体导入部（31）导入Ar或氦（He）等的非活性气体，一边在减压下将成膜炉（32）内的温度加热到800℃～950℃的范围。达到该温度后，使非活性气体的流入停止，经由气体导入部（31）向成膜炉（32）内导入气化后的乙醇作为源气体，由此，在晶片（WF）的整个表面形成石墨膜。

主权项

一种碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：工序（a），在碳化硅晶片的表面内离子注入杂质，形成碳化硅半导体装置的活性区域；工序（b），在形成所述活性区域后的所述碳化硅晶片的整个表面以及膜厚监测器用的硅晶片的整个表面，利用化学气相沉积法形成石墨膜；以及工序（c），评价所述石墨膜的厚度，所述工序（b）包括：使所述化学气相沉积法的成膜温度为950℃以下，形成所述石墨膜的工序，所述工序（c）包括：对在所述硅晶片上形成的所述石墨膜的厚度进行测定，由此，推定在所述碳化硅晶片上形成的所述石墨膜的厚度的工序。