[发明专利]用于半导体集成电路的芯片损伤检测设备有效

专利信息
申请号: 201080062117.2 申请日: 2010-01-21
公开(公告)号: CN102753984A 公开(公告)日: 2012-10-24
发明(设计)人: 艾万·埃蒙;菲利普·兰斯;库尔特·诺伊格鲍尔 申请(专利权)人: 飞思卡尔半导体公司
主分类号: G01R31/317 分类号: G01R31/317;G01R31/28
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 李佳;穆德骏
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种芯片损伤检测设备(10),该芯片损伤检测设备(10)包括至少一个双稳态电路(12),该至少一个双稳态电路(12)包括穿过半导体集成电路芯片(20)的观察区域(16,18,34)以用于观察区域的损伤监视的第一导电线路(14)。该至少一个双稳态电路被布置成:当第一导电线路的第一端(22)与第二端(24)之间的电位差改变时或者当泄漏电流过驱动在第一导电线路处的状态保持电流时,该至少一个双稳态电路从第一稳定状态翻转到第二稳定状态。另外,半导体集成电路设备(60)包括芯片损伤检测设备(10),而安全关键系统(70)包括半导体集成电路设备(60)或芯片损伤检测电路(10)。
搜索关键词: 用于 半导体 集成电路 芯片 损伤 检测 设备
【主权项】:
一种集成电路设备(60),包括:集成电路管芯(20),所述集成电路管芯(20)包括观察区域(16,18,34),和芯片损伤检测设备(10),所述芯片损伤检测设备(10)用于所述观察区域的损伤监视,所述设备(10)包括:至少一个双稳态电路(12),所述至少一个双稳态电路(12)包括穿过所述观察区域(16,18,34)的第一导电线路(14),并且所述至少一个双稳态电路被布置成:当所述第一导电线路(14)的第一端(22)与第二端(24)之间的电位差改变时或者当泄漏电流过驱动在所述第一导电线路(140)处的状态保持电流时,所述至少一个双稳态电路从第一稳定状态翻转成第二稳定状态。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞思卡尔半导体公司,未经飞思卡尔半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080062117.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top