[发明专利]用于半导体集成电路的芯片损伤检测设备有效
申请号: | 201080062117.2 | 申请日: | 2010-01-21 |
公开(公告)号: | CN102753984A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 艾万·埃蒙;菲利普·兰斯;库尔特·诺伊格鲍尔 | 申请(专利权)人: | 飞思卡尔半导体公司 |
主分类号: | G01R31/317 | 分类号: | G01R31/317;G01R31/28 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 李佳;穆德骏 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 半导体 集成电路 芯片 损伤 检测 设备 | ||
1.一种集成电路设备(60),包括:
集成电路管芯(20),所述集成电路管芯(20)包括观察区域(16,18,34),和
芯片损伤检测设备(10),所述芯片损伤检测设备(10)用于所述观察区域的损伤监视,所述设备(10)包括:
至少一个双稳态电路(12),所述至少一个双稳态电路(12)包括穿过所述观察区域(16,18,34)的第一导电线路(14),并且所述至少一个双稳态电路被布置成:当所述第一导电线路(14)的第一端(22)与第二端(24)之间的电位差改变时或者当泄漏电流过驱动在所述第一导电线路(140)处的状态保持电流时,所述至少一个双稳态电路从第一稳定状态翻转成第二稳定状态。
2.如权利要求1所述的集成电路,其中,所述至少一个双稳态电路是6晶体管(30,32,50,52,54,56)位元胞。
3.如权利要求1或权利要求2所述的集成电路,其中,所述至少一个双稳态电路是随机存取存储器的位元胞。
4.如前述权利要求中任一项所述的集成电路,其中,所述至少一个双稳态电路中的至少一个包括第二导电线路(40),所述第二导电线路(40)穿过所述观察区域并且与所述第一导电线路平行定位。
5.如前述权利要求中任一项所述的集成电路,其中,所述芯片损伤检测设备(10)包括控制单元(42),所述控制单元(42)连接到所述至少一个双稳态电路的位线和字线。
6.如权利要求5所述的集成电路,其中,所述控制单元被配置成将所述至少一个双稳态电路中每一个的所述第一状态设置成可配置的初始值。
7.如权利要求5或权利要求6所述的集成电路,其中,所述控制单元被配置成定期地读出所述至少一个双稳态电路的状态值。
8.如前述权利要求中任一项所述的集成电路,其中,至少当所述半导体集成电路设备处于未损伤的状况时,所述第一导电线路被单独地电连接到所述双稳态电路。
9.如前述权利要求中任一项所述的集成电路,其中,所述第一导电线路未被直接地连接到电源。
10.如前述权利要求中任一项所述的集成电路,被布置成:当至少一个双稳态电路的状态从所述第一状态翻转到所述第二状态时生成告警信号。
11.如前述权利要求中任一项所述的集成电路,被布置成:在所述半导体集成电路设备的正常操作期间检测损伤。
12.如前述权利要求中任一项所述的集成电路,其中,所述芯片损伤检测设备与所述观察区域集成在单个管芯中。
13.如前述权利要求中任一项所述的集成电路,其中,所述观察区域包括管芯边界。
14.一种安全关键系统(70),包括如前述权利要求中的任一项中要求保护的集成电路设备。
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