[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201080057095.0 | 申请日： | 2010-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102656697A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | K.特里尔 | 申请（专利权）人： | 维西埃-硅化物公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 丁艺;沙捷 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种LDMOS（横向扩散型金属氧化物半导体）结构，其将源极连接到基板并还连接到栅极屏蔽，同时这样的接触点将占用缩小的面积。该结构包括导电基板层、源极，和漏极接触点；漏极接触点通过至少一个中间层与基板层分开。导电的沟槽型馈通元件穿过中间层，并与基板和源极接触，以电连接漏极接触点和基板层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：在重掺杂基板层上生长的外延层，这两层均为第一导电类型；在所述外延层中的源极区，其为第二导电类型；在所述外延层中的漏极区，其为所述第二导电类型；用于所述漏极区的漏极接触点，其中，所述外延层和基板层通过反偏结和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）沟道与所述漏极接触点隔离；以及导电的沟槽型馈通元件，其穿过所述外延层并接触所述基板层以及所述源极区，其中，所述馈通元件可被操作以用于电连接所述漏极接触点和所述基板层。
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