[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

在重掺杂基板层上生长的外延层，这两层均为第一导电类型；

在所述外延层中的源极区，其为第二导电类型；

在所述外延层中的漏极区，其为所述第二导电类型；

用于所述漏极区的漏极接触点，其中，所述外延层和基板层通过反偏结和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）沟道与所述漏极接触点隔离；以及

导电的沟槽型馈通元件，其穿过所述外延层并接触所述基板层以及所述源极区，其中，所述馈通元件可被操作以用于电连接所述漏极接触点和所述基板层。

2.如权利要求1所述的半导体装置，进一步包括接触到所述馈通元件的栅极屏蔽。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，所述栅极屏蔽还与所述源极区接触。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其中，所述栅极屏蔽包括多晶硅。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述馈通元件包括钨。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述馈通元件包括保形涂层，其形成阻挡层。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其中，所述保形涂层包括氮化钛。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述装置包括倒装芯片。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述装置包括横向扩散型金属氧化物半导体（LDMOS）装置。

10.一种半导体装置，包括：

在重掺杂基板层上生长的外延层，这两层均为第一导电类型；

在所述外延层中的源极区，其为第二导电类型；

在所述外延层中的漏极区，其为所述第二导电类型；

耦接到金属层上的漏极接触点，其中，所述外延层和基板层通过反偏结和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）沟道与所述漏极接触点隔离；以及

导电的沟槽型馈通元件，其穿过所述外延层并接触所述基板层，其中，所述馈通元件通过至少一个中间层与所述金属层分开，并且其中，所述漏极接触点和所述馈通元件通过所述外延层分开；以及

栅极结构，其中，在所述栅极结构上施加电势形成了电路径，其包括所述基板层、所述漏极接触点、所述外延层和所述馈通元件。

11.如权利要求10所述的半导体装置，进一步包括栅极屏蔽，其与所述馈通元件接触。

12.如权利要求11所述的半导体装置，其中，所述栅极屏蔽还与所述源极区接触。

13.如权利要求11所述的半导体装置，其中，所述栅极屏蔽包括多晶硅，并且其中所述馈通元件包括钨。

14.如权利要求10所述的半导体装置，其中，所述馈通元件包括保形涂层，其形成阻挡层。

15.如权利要求10所述的半导体装置，其中，所述装置包括倒装芯片。

16.如权利要求10所述的半导体装置，其中，所述装置包括横向扩散型金属氧化物半导体（LDMOS）装置。

17.一种制作半导体装置的方法，所述方法包括：

在重掺杂基板层上生长的外延层中形成源极区和漏极区，所述重掺杂基板层和所述外延层均为第一导电类型，所述源极区和所述漏极区均为第二导电类型；

形成漏极接触点，其中，所述外延层和基板层通过反偏结和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）沟道与所述漏极接触点隔离；以及

形成导电的沟槽型馈通元件，其穿过所述外延层并与所述基板层和所述源极区接触，其中，所述馈通元件可被操作以用于电连接所述漏极接触点和所述基板层。

18.如权利要求17所述的方法，进一步包括形成与所述馈通元件接触并与所述源极区接触的栅极屏蔽。

19.如权利要求17所述的方法，其中，所述形成所述馈通元件进一步包括：

在所述中间层上形成沟槽，并且该沟槽延伸到所述基板层中；

将所述沟槽敷涂以阻挡层；以及

用导电材料填充所述沟槽。

20.如权利要求17所述的方法，其中，所述装置是从以下组中选出的，所述组包括：倒装芯片，以及横向扩散型金属氧化物半导体（LDMOS）装置。