[发明专利]形成半导体膜以及包含该膜的光伏装置的方法

摘要

本发明公开了一种沉积硫铜锡锌矿膜的方法，该膜包括下式的化合物：Cu2-xZn1+ySn(S1-zSez)4+q，其中0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤1、-1≤q≤1。该方法包括：使联氨、Cu源、S与Se的至少一种的源接触以形成溶液A；使联氨、Sn源、S与Se的至少一种的源和Zn源接触以形成分散体B；在足以形成包括含Zn固体颗粒的分散体的条件下，使溶液A和溶液B混合；施加该分散体于基材上，以在该基材上形成该分散体的薄层；及在足以形成该硫铜锡锌矿膜的温度、压力、及时间长度下退火。还提供了退火组合物及包括以上述方法形成的硫铜锡锌矿膜的光伏装置。

主权项

一种沉积包含下式化合物的硫铜锡锌矿膜的方法：Cu2‑xZn1+ySn(S1‑zSez)4+q，其中0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤1、‑1≤q≤1所述方法包含以下步骤：使联氨、Cu源、Sn源、S与Se的至少一种的源、及Zn源接触，以形成包括含Zn固体颗粒的分散体；将所述分散体施加于基材上，以形成薄层；及在足以形成所述硫铜锡锌矿膜的温度、压力、及时间长度下退火。