[发明专利]用于降低半导体结构中的内部机械应力的方法以及低机械应力半导体结构

摘要

由第III族金属的氮化物形成在(0001)取向的异质衬底(1)上的具有低机械应力的半导体结构，以及用于降低由第III族金属的氮化物形成在(0001)取向的异质衬底(1)上的半导体结构中的内部机械应力的方法。方法包括以下步骤：在异质衬底(1)上生长氮化物以形成第一氮化物层(2)；通过选择性地除去第一氮化物层(2)的体积至距第一氮化物层(2)的上表面预定的深度来图案化第一氮化物层(2)，以提供层的在被除去的体积之间的剩余部分中的机械应力σ的弛豫；以及在第一氮化物层(2)上生长另外的氮化物，直到形成连续的第二氮化物层(8)，第二氮化物层(8)包封在半导体结构内部的在第二氮化物层(8)下的源自所除去的体积的空隙(7)。

主权项

一种用于降低由第III族金属的氮化物形成在(0001)取向的异质衬底(1)上的半导体结构中的内部机械应力的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：在所述异质衬底(1)上生长氮化物以形成第一氮化物层(2)，通过选择性地除去所述第一氮化物层(2)的体积至距所述第一氮化物层(2)的上表面预定的深度来图案化所述第一氮化物层(2)，以提供所述层的在所除去的体积之间的剩余部分中的内部机械应力的弛豫，以及在所述第一氮化物层(2)上生长另外的氮化物，直到形成连续的第二氮化物层(8)，以产生所述半导体结构内部的在所述第二氮化物层(8)下的、被包封的、源自所除去的体积的空隙(7)。