[发明专利]氮化物半导体装置有效
| 申请号： | 201080037631.0 | 申请日： | 2010-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102484124A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 梅田英和;按田义治;上田哲三;田中毅;上田大助 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/337;H01L21/338;H01L29/12;H01L29/47;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/808;H01L29/812;H01L29/861;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 樊建中 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物半导体装置，其具备：半导体基板(101)；和形成于半导体基板上的氮化物半导体层(102)。半导体基板具有通常区域(101A)以及包围通常区域的界面电流阻止区域(101B)。氮化物半导体层具有元件区域(102A)以及包围元件区域的元件分离区域(102B)。元件区域形成于通常区域上，界面电流阻止区域包括杂质并且对于在氮化物半导体层和半导体基板的界面处产生的载流子形成势垒。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体装置，其具备：半导体基板；和氮化物半导体层，其形成于上述半导体基板上；上述半导体基板具有通常区域以及包围该通常区域的界面电流阻止区域；上述氮化物半导体层具有元件区域以及包围该元件区域的元件分离区域；上述元件区域形成于上述通常区域上；上述界面电流阻止区域包括杂质并且对于在上述氮化物半导体层和上述半导体基板的界面处产生的载流子形成势垒。
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