[发明专利]III族氮化物半导体发光器件无效
| 申请号： | 201080036251.5 | 申请日： | 2010-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN102549782A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 金昌台;南起燃 | 申请（专利权）人： | 艾比维利股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种III族氮化物半导体发光器件，更具体地，涉及一种通过电子-空穴复合而发光的III族氮化物半导体发光器件，该III族氮化物半导体发光器件包括：第一电极和第二电极，该第一电极和第二电极提供用于电子-空穴复合的电流；第一分支电极，该第一分支电极从所述第一电极延伸；以及第二分支电极，该第二分支电极从所述第二电极延伸，其中所述第二分支电极的至少某些部分的厚度不同于所述第一分支电极的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种通过电子和空穴的复合而发光的III族氮化物半导体发光器件，该III族氮化物半导体发光器件包括：第一电极和第二电极，该第一电极和第二电极提供用于电子和空穴的复合的电流；第一分支电极，该第一分支电极从所述第一电极延伸；以及第二分支电极，该第二分支电极从所述第二电极延伸，所述第二分支电极的至少某些部分的厚度不同于所述第一分支电极的厚度。
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