[发明专利]III族氮化物半导体发光器件无效
申请号: | 201080036251.5 | 申请日: | 2010-07-15 |
公开(公告)号: | CN102549782A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 金昌台;南起燃 | 申请(专利权)人: | 艾比维利股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/02 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚 |
地址: | 韩国庆*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | iii 氮化物 半导体 发光 器件 | ||
1.一种通过电子和空穴的复合而发光的III族氮化物半导体发光器件,该III族氮化物半导体发光器件包括:
第一电极和第二电极,该第一电极和第二电极提供用于电子和空穴的复合的电流;
第一分支电极,该第一分支电极从所述第一电极延伸;以及
第二分支电极,该第二分支电极从所述第二电极延伸,所述第二分支电极的至少某些部分的厚度不同于所述第一分支电极的厚度。
2.根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件,其中,所述第二分支电极的厚度在该第二分支电极的长度方向上是相同的并且不同于所述第一分支电极的厚度。
3.根据权利要求2所述的III族氮化物半导体发光器件,其中,被布置在具有相对较低的电流密度的第二区域中的所述分支电极的厚度大于被布置在具有相对较高的电流密度的第一区域中的所述分支电极的厚度,通过所述第一电极和所述第二电极在所述发光器件中产生所述电流密度。
4.根据权利要求2所述的III族氮化物半导体发光器件,其中,所述第一分支电极和所述第二分支电极在从所述发光器件的中心向外的方向上一个接一个地交替排列。
5.根据权利要求3所述的III族氮化物半导体发光器件,其中,所述第一电极和所述第二电极中的每一个被设置为一个电极,并且,所述第一电极和所述第二电极中的每一个被定位为使得将所述第一电极连接到所述第二电极的假想直线能够经过所述发光器件的中心部分。
6.根据权利要求3所述的III族氮化物半导体发光器件,其中,所述第一电极和所述第二电极中的至少一个被设置为两个或更多个分离的电极,所述两个或更多个分离的电极彼此接合且提供有分离的电流,且所述第一电极和所述第二电极中的至少一个被定位为使得将所述第一电极连接到所述第二电极的假想直线能够经过所述发光器件的中心部分。
7.根据权利要求3所述的III族氮化物半导体发光器件,其中,所述第一电极和所述第二电极中的至少一个被设置为两个或更多个分离的电极,所述两个或更多个分离的电极以给定距离隔开并通过所述第一分支电极或第二分支电极连接。
8.根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件,其中,所述第二分支电极的厚度在该第二分支电极的长度方向上变化。
9.根据权利要求8所述的III族氮化物半导体发光器件,其中,被定位为与所述第一电极相邻的所述第二分支电极的某些部分或被定位为与所述第二电极相邻的所述第一分支电极的某些部分具有比相应分支电极的其它部分小的厚度。
10.根据权利要求8所述的III族氮化物半导体发光器件,其中,所述第一电极和所述第二电极中的至少一个被设置为两个或更多个分离的电极,所述两个或更多个分离的电极彼此隔开,并且被定位为与各个分离的电极相邻的分支电极的某些部分具有比该分支电极的其它部分小的厚度。
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