[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置。在半导体装置的半导体层中形成有二极管区和IGBT区。在半导体层中形成有寿命控制区。寿命控制区具有在俯视观察时位于二极管区中的第一寿命控制区、和位于IGBT区的一部分中的第二寿命控制区。该第二寿命控制区从二极管区和IGBT区的边界起朝向IGBT区内延伸。第二寿命控制区的前端在俯视观察时位于IGBT区中的体区的形成范围内。

主权项

一种半导体装置，其中，具备形成有二极管区和绝缘栅双极性晶体管区的半导体层，所述二极管区具有被形成在所述半导体层的表层部上的p型的阳极区、和被形成在所述半导体层的底层部上的n型的阴极区，所述绝缘栅双极性晶体管区具有被形成在所述半导体层的表层部上的p型的体区、和被形成在所述半导体层的底层部上的p型的集电区，在所述半导体层内，形成有在所述半导体层的水平方向上连续延伸的寿命控制区，所述寿命控制区具有在俯视观察时位于所述二极管区中的第一寿命控制区、和位于所述绝缘栅双极性晶体管区的一部分中的第二寿命控制区，所述第二寿命控制区从所述二极管区和所述绝缘栅双极性晶体管区的边界起朝向所述绝缘栅双极性晶体管区内延伸，在俯视观察时，所述第二寿命控制区的前端位于所述绝缘栅双极性晶体管区中的所述体区的形成范围内。