[发明专利]半导体装置以及制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201080033672.2 | 申请日： | 2010-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN102473733A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;坂田淳一郎;三宅博之;桑原秀明 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/28;H01L29/417 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张金金;朱海煜 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一个目的是降低半导体装置的制造成本。一个目的是改进半导体装置的孔径比。一个目的是使半导体装置的显示部分显示较高清晰度图像。一个目的是提供能够以高速度来操作的半导体装置。半导体装置包括一个衬底之上的驱动器电路部分和显示部分。驱动器电路部分包括：驱动器电路TFT，其中源和漏电极使用金属来形成，并且沟道层使用氧化物半导体来形成；以及使用金属来形成的驱动器电路布线。显示部分包括：像素TFT，其中源和漏电极使用氧化物导体来形成，并且半导体层使用氧化物半导体来形成；以及使用氧化物导体来形成的显示布线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：像素部分，其中包括衬底之上的第一晶体管，驱动器电路，其中包括所述衬底之上的第二晶体管；其中，所述第一晶体管包括：所述衬底之上的第一栅电极；所述第一栅电极之上的栅绝缘层；所述栅绝缘层之上的第一氧化物半导体层；在所述第一氧化物半导体层的一部分之上并且与其接触的第一沟道保护层；所述第一沟道保护层和所述第一氧化物半导体层之上的第一源电极和第一漏电极；以及电连接到所述第一沟道保护层的像素电极，其中，所述第二晶体管包括：所述衬底之上的第二栅电极；所述第二栅电极之上的所述栅绝缘层；所述栅绝缘层之上的第二氧化物半导体层；在所述第二氧化物半导体层的一部分之上并且与其接触的第二沟道保护层；以及所述第二沟道保护层和所述第二氧化物半导体层之上的第二源电极和第二漏电极，其中，所述第一栅电极、所述栅绝缘层、所述第一氧化物半导体层、所述第一源电极、所述第一漏电极、所述第一沟道保护层和所述像素电极具有透光性质，所述第一源电极和所述第一漏电极中包含的第一材料与所述第二源电极和所述第二漏电极中包含的第二材料不同，以及所述第二材料的电阻率低于所述第一材料的电阻率。
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