[发明专利]光半导体装置用引线框架及其制造方法以及光半导体装置无效
| 申请号： | 201080031370.1 | 申请日： | 2010-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN102804429A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 小林良聪;菊池伸 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种光半导体装置用引线框架及其制造方法、以及使用该光半导体装置用引线框架的光半导体装置。本发明的光半导体装置用引线框架在导电性基体1上的最表面形成有由银或银合金构成的反射层2，其中，上述反射层的厚度为0.2～5.0μm，且以X射线衍射法测定上述反射层的银或银合金时，(200)面的强度比为总计数值的20％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 引线 框架 及其 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种光半导体装置用引线框架，其在导电性基体上的最表面形成有由银或银合金构成的反射层，其特征在于，上述反射层的厚度为0.2～5.0μm，且以X射线衍射法测定上述反射层的银或银合金时，(200)面的强度比为总计数值的20％以上。
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