[发明专利]光半导体装置用引线框架及其制造方法以及光半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及光半导体装置用引线框架及其制造方法、以及光半导体装置。

背景技术

光半导体装置用引线框架例如被广泛用作将LED(Light Emitting Diode，发光二极管)元件等光半导体元件即发光元件用于光源的各种显示用/照明用光源的构成构件。该光半导体装置例如在基板配置引线框架且在该引线框架上搭载有发光元件之后，为了防止由热、湿气、氧化等外部因素造成的发光元件或其周边部位的劣化，而以树脂将发光元件及其周围密封。

再者，在将LED元件用作为照明用光源的情形时，引线框架的反射材料被要求可见光波长(400～700nm)的全区域的反射率较高(例如反射率为80％以上)。此外，近年来，亦逐渐使用LED元件作为使用紫外线的测定/分析设备的光源，其反射材料被要求在近紫外区(波长340～400nm)的反射率较高。因此，对于用作照明用光源或用作上述测定/分析设备的光源时的光半导体装置而言，反射材料的反射特性成为影响产品性能的极其重要的要素。

又，作为实现发射出白色光的LED的方法，大致主要分为以下3种：将发出红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)所有颜色的芯片排列3个的方法；对蓝色LED芯片使用分散有黄色荧光体的密封树脂的方法；以及对近紫外区的LED芯片使用分别分散有R、G、B的荧光体的密封树脂的方法。以往，对蓝色LED芯片使用分散有黄色荧光体的密封树脂的方法为主流，但近年来由于显色性的问题，使用在发光波长带域中包含近紫外区的LED芯片的方法不断受到关注。

对应于这样的要求，在安装LED元件的引线框架上，大多情况下特别为了提高可见光区域的光反射率(以下称为反射率)而形成有由银或银合金构成的层(覆膜)。已知银的覆膜在可见光区域中的反射率较高，具体而言，已知在反射面形成镀银层(专利文献1)；或在形成银或银合金覆膜之后在200℃以上实施30秒以上的热处理，使该覆膜的结晶粒径成为0.5μm～30μm(专利文献2)等。

专利文献1：(日本)特开昭61-148883号公报

专利文献2：(日本)特开2008-016674号公报

然而，已知在如专利文献1般仅单纯地形成银或其合金覆膜的情况下，特别是近紫外区域(波长340～400nm)的反射率明显下降，无法避免可见光区域的约400nm附近至近紫外区域的300nm附近的反射率下降。

又，已知若如专利文献2般使银或银合金的覆膜的结晶粒径成为0.5μm～30μm，则可见光区域的反射率良好，但有时无法获得近紫外区域(340～400nm)的反射率改善的效果。对此，关于详细情况尚且不清楚，但可认为，仅简单地调整结晶粒径时无法看到反射率改善的效果，而与结晶粒径不同的其它特性似有助于反射率改善。又，若藉由热处理调整成上述结晶粒径，则可能由于残留氧的影响而使银氧化，反而导致反射率下降，反射率改善无法获得充分效果。

再者，专利文献2中，关于底层的表面粗糙度，有日本工业规格(JIS B0601)中规定的最大高度Ry为0.5μm以上的记载，但电镀法中底层的表面粗糙度对最表面的粗糙度的影响较大，若底层的表面粗糙度(最大高度)Ry为0.5μm以上，则覆盖于底层表面的银或银合金表面的粗糙度(最大高度)亦成为0.5μm以上的倾向极强。该情形下，为了藉由电镀将凹凸完全覆盖，需要采取增加覆盖厚度等的对策，如此容易导致量产性下降，成本上升。又，于光的反射方面，反射层的粗糙度对正反射或扩散反射造成较大影响。另一方面，由于对于光半导体用引线框架的光学特性而言重要的是反射层的表面粗糙度，因此即便简单地规定底层的粗糙度，亦无法规定反射层的光学特性。

进而，近年来照明用途中开始积极采用LED，光的指向性变得重要。于反射层的表面粗糙度不适当时，指向性会产生偏差，故特别是照明用途中被期望指向性的适当控制，但专利文献1及专利文献2的技术内容中，并未公开对应于该期望的技术。

发明内容

因此，本发明的课题在于提供一种光半导体装置用引线框架及其制造方法，该光半导体装置用引线框架用于LED、光电耦合器、光断续器等，其近紫外区域(波长340～400nm)的反射率良好，且扩散反射率经适当调整，藉此可实现特别是对于照明用途或包含近紫外区域的测定/分析用途的光源而言为良好的光指向特性。