[发明专利]存储器单元、阵列、以及制造存储器单元的方法有效
| 申请号： | 201080027498.0 | 申请日： | 2010-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN102460706A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 杜尚·葛鲁伯维奇 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 章侃铱;张浴月 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种存储器单元(100)包括一晶体管，晶体管包括：一基板(101)；一第一源极/漏极区(102)；一第二源极/漏极区(112)；一栅极(104)；及一栅极绝缘层(103)，设置于基板(101)及栅极(104)之间；其中栅极绝缘层(103)直接接触基板(101)且包括多个电荷陷阱(131)，该多个电荷陷阱(131)分布于栅极绝缘层(101)整个体积。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 阵列 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器单元(100)，包括一晶体管，该晶体管包括：一基板(101)；一第一源极/漏极区(102)；一第二源极/漏极区(112)；一栅极(104)；及一栅极绝缘层(103)，设置于该基板(101)及该栅极(104)之间；其中该栅极绝缘层(103)直接接触该基板(101)且包括多个电荷陷阱(131)，该多个电荷陷阱(131)分布于该栅极绝缘层(103)整个体积，并且其中该栅极绝缘层(103)包括一非化学计量化合物。
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