[发明专利]烷基硅烷层叠体及其制造方法、以及薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201080022733.5 | 申请日： | 2010-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN102449771A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 串田尚;内藤裕义 | 申请（专利权）人： | 帝人株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 金世煜;苗堃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够获得具有优异的半导体特性的有机半导体膜的烷基硅烷层叠体。这样的层叠体能够用于有机薄膜晶体管。所述烷基硅烷层叠体含有表面具有羟基的基底层(Sub)、以及在该基底层上形成的烷基硅烷薄膜(AS)，烷基硅烷薄膜的临界表面能Ec和烷基硅烷的碳原子数x满足下述式(1)：Ec≤29.00-0.63x(mN/m)(1)。而且，本发明还提供具有这样的烷基硅烷层叠体(Sub、AS)的薄膜晶体管(10)。 | ||
| 搜索关键词： | 烷基 硅烷 层叠 及其 制造 方法 以及 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种烷基硅烷层叠体，其特征在于，是含有表面具有羟基的基底层、及在所述基底层上形成的烷基硅烷薄膜的烷基硅烷层叠体，所述烷基硅烷薄膜的临界表面能Ec和烷基硅烷的碳原子数x满足下述式(1)：Ec≤29.00‑0.63x(mN/m) (1)。
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