[发明专利]烷基硅烷层叠体及其制造方法、以及薄膜晶体管

权利要求书

1.一种烷基硅烷层叠体，其特征在于，是含有表面具有羟基的基底层、及在所述基底层上形成的烷基硅烷薄膜的烷基硅烷层叠体，所述烷基硅烷薄膜的临界表面能Ec和烷基硅烷的碳原子数x满足下述式(1)：

Ec≤29.00-0.63x(mN/m)        (1)。

2.根据权利要求1所述的层叠体，其中，所述烷基硅烷薄膜的平均厚度在10nm以下。

3.根据权利要求1或2所述的层叠体，其中，所述烷基硅烷薄膜的粗糙度Ra在1nm以下。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的层叠体，其中，所述烷基硅烷薄膜含有硅氧烷寡聚物。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的层叠体，其中，所述烷基硅烷为直链烷基硅烷。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的层叠体，其中，所述烷基硅烷薄膜以三氯烷基硅烷或者三烷氧基烷基硅烷作为原料。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的层叠体，其中，所述基底层的具有羟基的表面通过二氧化硅来提供。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的层叠体，其中，所述基底层的具有羟基的表面通过层叠在高分子基板上的二氧化硅层来提供。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的层叠体，其中，所述烷基硅烷的碳原子数在10以上。

10.一种制造层叠体的方法，其特征在于，是制造权利要求1～9中任一项所述的层叠体的方法，所述方法包括在湿度5％以下的环境中，通过接触印刷法在所述基底层上形成所述烷基硅烷薄膜的工序。

11.一种薄膜晶体管，其特征在于，在基板一侧的面上具有源电极、漏电极、栅电极、栅极绝缘膜和有机半导体膜，通过所述栅极绝缘膜将所述源电极和所述漏电极、与所述栅电极绝缘，并且通过施加于所述栅电极的电压来控制从所述源电极经所述有机半导体流向所述漏电极的电流；

所述薄膜晶体管进一步具有烷基硅烷薄膜，所述基板或栅极绝缘膜在表面具有羟基，所述烷基硅烷薄膜形成在表面具有羟基的所述基板或者栅极绝缘膜上，并且所述烷基硅烷薄膜的临界表面能Ec与烷基硅烷的碳原子数x满足下述式(1)：

Ec≤29.00-0.63x(mN/m)        (1)。