[发明专利]涂层方法无效
| 申请号： | 201080019785.7 | 申请日： | 2010-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN102414341A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | L·S·C·平格里;V·S·森德拉姆;M·R·西尔基斯;S·M·派尔 | 申请（专利权）人： | 波音公司 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/50 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于向衬底施加抗磨损涂层的方法，其包括以下步骤，即产生大气等离子体(22)，向大气等离子体引入前体，选择该前体从而形成抗磨损涂层，并且相对于大气等离子体定位衬底(26)，以便大气等离子体在衬底上沉积抗磨损涂层。 | ||
| 搜索关键词： | 涂层 方法 | ||
【主权项】：
一种用于向衬底施加抗磨损涂层的方法，其包含以下步骤：产生包含大气等离子体；向所述大气等离子体引入前体，选择所述前体从而形成所述抗磨损涂层；以及相对于所述大气等离子体定位所述衬底，以便所述大气等离子体在所述衬底上沉积所述抗磨损涂层。
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- 2007-05-23 - 2019-05-17 - C23C16/40
- 本发明涉及一种通过CVD在底物上沉积氧化硅层的方法。其中烷基具有至少两个碳原子的有机氨基硅烷前体在氧化剂存在下的反应允许形成氧化硅薄膜。所述的有机氨基硅烷类化合物由下式表示：
二异丙基氨基硅烷的用途是形成氧化硅薄膜的优选前体。
- 制备铝镓酸铋薄膜的气体脉冲序列-201710579276.3
- 宋长青;王志亮;尹海宏 - 南通大学
- 2015-11-11 - 2019-05-14 - C23C16/40
- 一种制备Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜的气体脉冲序列，由有机铋源气体脉冲、有机铝源气体脉冲、有机镓源气体脉冲、氧前驱体气体脉冲、惰性气体脉冲组成，在一个生长周期中，各气体脉冲数量为4的倍数且不小于12，有机铋源气体脉冲和有机铝源气体脉冲的数量之和等于氧前驱体脉冲的数量，有机铋源气体脉冲、有机铝源气体脉冲和氧前驱体气体脉冲的数量之和等于惰性气体脉冲的数量，在任意一个有机铋源气体脉冲或氧前驱体气体脉冲或有机铝气体脉冲的之前或之后，都具有一个惰性气体脉冲；在任一个有机铋源气体脉冲或有机铝气体脉冲的次邻近处，都还具有一个氧前驱体气体脉冲。可以实现Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜生长厚度的精确可控。
- 用于制备BiGaO3薄膜的真空反应腔-201710579316.4
- 王志亮;尹海宏;宋长青 - 南通大学
- 2015-11-11 - 2019-05-03 - C23C16/40
- 一种用于制备BiGaO3薄膜的真空反应腔，包括有多个分隔空间，分别用于通入铋前驱体气体、镓前驱体气体、氧前驱体气体、惰性气体；BiGaO3薄膜材料采用前驱体自限制性表面吸附反应得到，化学吸附反应在真空反应腔中进行。通过采用本发明的制备BiGaO3薄膜材料的方法，可以实现BiGaO3薄膜生长厚度的精确可控，且BiGaO3薄膜表面平整度大大优于现有技术。由于各种气体的通入是连续不断、且流速恒定，薄膜的厚度仅取决于衬底转过的次数，工艺变得极为简单、可靠。
- 一种原子层沉积装置-201811637385.7
- 李丙科 - 无锡松煜科技有限公司
- 2018-12-29 - 2019-04-30 - C23C16/40
- 本发明公开了一种原子层沉积装置，包括安装台、加热腔室和气体过滤装置，在所述安装台设置有预热腔。本发明通过将载片舟及其托架结构设计为水平结构，能够使得放置在载片舟本体内凹槽内的硅片的背面不会被镀上Al2O3膜的工艺，且在后续丝网印刷的工艺过程中只需要使用普通的浆料即能达到较佳的效果，大大降低了生产成本；通过将硅片预先加热到较高温度有利于进入后续的加热腔室时硅片快速升温到预定温度，且有助于Al2O3成膜效果。
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
