[发明专利]氮化铝单晶的制造装置、氮化铝单晶的制造方法及氮化铝单晶有效
| 申请号： | 201080017234.7 | 申请日： | 2010-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN102405310A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 加藤智久;长井一郎;三浦知则;鎌田弘之 | 申请（专利权）人： | 独立行政法人产业技术综合研究所;株式会社藤仓 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B23/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;金世煜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的氮化铝单晶的制造装置是具备将氮化铝原料和配置成与该氮化铝原料对置的晶种收容于内部的坩埚的氮化铝单晶的制造装置，其中，上述坩埚包含内侧坩埚和外侧坩埚，所述内侧坩埚在内部收纳上述氮化铝原料和上述晶种，并且对上述氮化铝原料的升华气体具有耐腐蚀性，并且由具有比铝的离子半径大的离子半径的金属的单体或其氮化物形成，所述外侧坩埚包覆上述内侧坩埚，且由氮化硼形成。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 铝单晶 制造 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化铝单晶的制造装置，其特征在于，具备将氮化铝原料和配置成与该氮化铝原料对置的晶种收容于内部的坩埚，所述坩埚包含内侧坩埚和外侧坩埚，所述内侧坩埚在内部收纳所述氮化铝原料和所述晶种，并且对所述氮化铝原料的升华气体具有耐腐蚀性，并且由具有比铝的离子半径大的离子半径的金属的单体或其氮化物形成，所述外侧坩埚包覆所述内侧坩埚，且由氮化硼形成。
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