[发明专利]半导体制造装置及调温方法无效
| 申请号： | 201080014856.4 | 申请日： | 2010-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102379030A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 松崎和爱;永关澄江 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供半导体制造装置及调温方法。与以往的调温方法相比，能够实现半导体晶圆的均匀的调温和高响应性。半导体制造装置包括在内部具有空洞(21)的晶圆载置台(2)、及为了将晶圆载置台(2)的温度调整为工艺温度而向空洞(21)的内壁喷射工艺温度以下的水的喷嘴(64a)，其中，该半导体制造装置包括：压力传感器(71)，其用于检测空洞(21)内的压力；真空泵，其用于排出空洞(21)内的气体，使得由压力传感器(71)检测出的压力为从喷嘴(64a)喷射的水的温度时的饱和蒸气压以上且工艺温度时的饱和蒸气压以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 调温 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体制造装置，该半导体制造装置包括在内部具有空洞的半导体晶圆载置台、及为了将该半导体晶圆载置台的温度调整为目标温度而向上述空洞的内壁喷射目标温度以下的液体的调温介质的喷嘴，其特征在于，包括：压力检测部件，其用于检测上述空洞内的压力；真空泵，其用于排出上述空洞内的气体，使得由该压力检测部件检测出的压力为从上述喷嘴喷射的调温介质的温度时的饱和蒸气压以上且目标温度时的饱和蒸气压以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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