[实用新型]一种高频晶闸管无效
| 申请号： | 201020626427.X | 申请日： | 2010-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN201877430U | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 夏吉夫;崔振森;潘福泉 | 申请（专利权）人： | 宜昌市晶石电力电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/04;H01L29/06 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 成钢 |
| 地址： | 443000 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种高频晶闸管，包括晶闸管，单晶硅片由P+P1N1P2N2型非对称结构构成，N2区的图形为渐开线图形。单晶硅片采用N型（100）晶向低阻单晶硅片，P+层由P层研磨减薄扩散后构成，P+层厚度为15μm，P层厚度为60μm，单晶硅片的台面造型中，正斜角磨角角度θ1大小为：60 ≦θ1≦80 ，负斜角磨角角度θ2大小为：3.5°≦θ2≦4.5°，P+层端面上设有钛镍金蒸镀层，厚度分别为：Ti:0.2μm、Ni:0.5μm、Au:0.1μm，渐开线图形为2~8条，渐开线附近分布的短路点间距D=0.4mm，直径d=0.08mm。本实用新型晶闸管提高了晶闸管的应用频率，提高产品质量、满足节能降耗的需要。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高频 晶闸管 | ||
【主权项】：
一种高频晶闸管，包括晶闸管，其特征在于：单晶硅片（1）由P+P1N1P2N2型非对称结构构成，N2区（4）的图形为渐开线图形。
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