[实用新型]一种高频晶闸管无效
| 申请号： | 201020626427.X | 申请日： | 2010-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN201877430U | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 夏吉夫;崔振森;潘福泉 | 申请（专利权）人： | 宜昌市晶石电力电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/04;H01L29/06 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 成钢 |
| 地址： | 443000 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高频 晶闸管 | ||
【权利要求书】：
1.一种高频晶闸管，包括晶闸管，其特征在于：单晶硅片（1）由P+P1N1P2N2型非对称结构构成，N2区（4）的图形为渐开线图形。
2.根据权利要求1所述的一种高频晶闸管，其特征在于：单晶硅片（1）采用N型（100）晶向低阻单晶硅片。
3.根据权利要求1所述的一种高频晶闸管，其特征在于：P+层（5’）由P层（5）研磨减薄扩散后构成。
4.根据权利要求1所述的一种高频晶闸管，其特征在于：P+层（5’）厚度为15μm，P层（5）厚度为60μm。
5.根据权利要求1所述的一种高频晶闸管，其特征在于：单晶硅片（1）的台面造型中，正斜角磨角角度θ1大小为：60o≦θ1≦80o，负斜角磨角角度θ2大小： 3.5°≦θ2≦4.5°。
6.根据权利要求1所述的一种高频晶闸管，其特征在于：P+层（5’）端面上设有钛镍金蒸镀层（3），厚度分别为：Ti: 0.2μm、Ni: 0.5μm、Au: 0.1μm。
7.根据权利要求1所述的一种高频晶闸管，其特征在于：渐开线图形为2~8条。
8.根据权利要求1所述的一种高频晶闸管，其特征在于：渐开线附近分布的短路点间距D=0.4mm，直径d=0.08mm。
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