[发明专利]一种用高密度料块生长碳化硅单晶的方法有效
| 申请号： | 201010615255.0 | 申请日： | 2010-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102021653A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 何丽娟;吴星;倪代秦;李海飞;赵岩 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/02 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人： | 夏晏平 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种用高密度料块生长碳化硅单晶的方法，属于半导体材料制备技术领域，步骤为，（1）制备高密度碳化硅料块，（2）将步骤（1）的高密度碳化硅料块用垫块垫起，使料块与坩埚不相接触，并置于坩埚底部作为原料，（3）坩埚顶部放置籽晶，用物理气相传输法生长碳化硅单晶。本发明方法克服了料粉与坩埚直接接触的问题，变为坩埚内壁与“架空”料块之间的辐射传热，所生长的单晶均匀、对称，其中的杂质含量大大降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 生长 碳化硅 方法 | ||
【主权项】：
一种用高密度料块生长碳化硅单晶的方法，其特征在于：步骤为，（1）制备高密度碳化硅料块，（2）将步骤（1）的高密度碳化硅料块用垫块垫起，使料块与坩埚不相接触，并置于坩埚底部作为原料，（3）坩埚顶部放置籽晶，用物理气相传输法生长碳化硅单晶。
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