[发明专利]具有垂直沟道晶体管的动态随机存取存储单元及阵列

摘要

本发明公开一种具有垂直沟道晶体管的动态随机存取存储单元及阵列。该具有垂直沟道晶体管的动态随机存取存储单元包括半导体柱、漏极层、辅助栅极、控制栅极、源极层、电容器。半导体柱构成垂直沟道晶体管的有源区。漏极层设置于半导体柱底部。辅助栅极隔着第一栅介电层而设置于漏极层附近。控制栅极隔着第二栅介电层而设置于有源区附近。源极层设置于半导体柱顶部。电容器电性连接源极层。

主权项

一种具有垂直沟道晶体管的动态随机存取存储单元，包括：半导体柱，设置于半导体基底中，该半导体柱构成垂直沟道晶体管的有源区；漏极层，设置于该半导体柱底部；辅助栅极，隔着第一栅介电层而设置于该漏极层附近；控制栅极，隔着第二栅介电层而设置于该半导体柱附近；源极层，设置于该半导体柱顶部；以及电容器，电性连接该源极层。