[发明专利]具有垂直沟道晶体管的动态随机存取存储单元及阵列

权利要求书

1.一种具有垂直沟道晶体管的动态随机存取存储单元，包括：

半导体柱，设置于半导体基底中，该半导体柱构成垂直沟道晶体管的有源区；

漏极层，设置于该半导体柱底部；

辅助栅极，隔着第一栅介电层而设置于该漏极层附近；

控制栅极，隔着第二栅介电层而设置于该半导体柱附近；

源极层，设置于该半导体柱顶部；以及

电容器，电性连接该源极层。

2.如权利要求1所述的具有垂直沟道晶体管的动态随机存取存储单元，其中该辅助栅极设置于该漏极层的相对的两侧壁上。

3.如权利要求1所述的具有垂直沟道晶体管的动态随机存取存储单元，其中该控制栅极设置于该半导体柱的相对的两侧壁上。

4.如权利要求1所述的具有垂直沟道晶体管的动态随机存取存储单元，其中该漏极层包括掺杂区。

5.一种具有垂直沟道晶体管的动态随机存取存储单元阵列，包括：

多个存储单元，设置于半导体基底中，排列成行和列的阵列，该多个存储单元每个包括：

半导体柱，该半导体柱构成垂直沟道晶体管的有源区；

漏极层，设置于该半导体柱底部；

辅助栅极，隔着第一栅介电层而设置于该漏极层附近；

控制栅极，隔着第二栅介电层而设置于该半导体柱附近；

源极层，设置于该半导体柱顶部；以及

电容器，电性连接该源极层；

多条埋入式位线，平行设置于该多个半导体柱下方，在行方向延伸，并电性连接同一行的该多个漏极层；

多条辅助栅极线，设置于该多条埋入式位线附近，并电性连接同一行的该多个辅助栅极；以及

多条埋入式字线，平行设置于该多条埋入式位线上方，在列方向延伸，并电性连接同一列的该多个控制栅极。

6.如权利要求5所述的具有垂直沟道晶体管的动态随机存取存储单元阵列，其中各埋入式位线设置于相邻两辅助栅极线之间。

7.如权利要求5所述的具有垂直沟道晶体管的动态随机存取存储单元阵列，其中该多条埋入式字线分别设置于各半导体柱的相对的两侧壁上。

8.如权利要求5所述的具有垂直沟道晶体管的动态随机存取存储单元阵列，其中各埋入式位线包括掺杂区。

9.如权利要求1所述的具有垂直沟道晶体管的动态随机存取存储单元阵列，其中该多条辅助栅极线电性连接在一起。