[发明专利]非挥发性电阻转变存储器及其制备方法

摘要

本发明涉及半导体存储器技术领域，公开了一种基于含有金属纳米层的二元氧化物固态电解液薄膜材料的非挥发性电阻转变存储器，包括：第一导电电极、第二导电层与第三导电电极；包含在第一导电电极与第三导电电极之间的二元氧化物固态电解液薄膜。本发明同时公开了一种制备非挥发性电阻转变存储器的方法，包括：在含有第一导电电极的介质层上形成绝缘层，在绝缘层内形成接触孔以暴露第一导电电极，在接触孔内在第一导电电极上形成含有第二导电层的二元氧化物固态电解液薄膜，在接触孔内在二元氧化物固态电解液薄膜上形成第三导电电极。利用本发明，能够获得器件面积小、产率高、性能良好的电阻转变存储器，为器件的大规模集成和实用化打下基础。

主权项

一种非挥发性电阻转变存储器，基于含有金属纳米层的二元氧化物固态电解液薄膜材料制作而成，其特征在于，该存储器包括：第一导电电极；第一导电电极之上的第一二元氧化物固态电解液薄膜层；第一二元氧化物固态电解液薄膜层之上的第二导电层；第二导电层之上的第二二元氧化物固态电解液薄膜层；以及第二二元氧化物固态电解液薄膜层之上的第三导电电极。