[发明专利]一种半导体结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体结构的制造方法，包括：提供衬底，并且在衬底上形成伪栅堆叠、附着于所述伪栅堆叠侧壁的侧墙、以及位于伪栅堆叠两侧的源/漏区，其中伪栅堆叠包括伪栅极；在源/漏区表面形成第一接触层；形成覆盖第一接触层的层间介质层；去除伪栅极或伪栅堆叠以形成开口，在开口内填充第一导电材料或者填充栅介质层和第一导电材料，以形成栅堆叠结构；在层间介质层中形成接触孔，接触孔暴露第一接触层或者第一接触层和源/漏区的部分区域；在部分区域表面形成第二接触层；在接触孔中填充第二导电材料，形成接触塞。以及，一种半导体器件。利于降低接触电阻。

主权项

一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：a) 提供衬底(100)，并且在所述衬底(100)上形成伪栅堆叠、附着于所述伪栅堆叠侧壁的侧墙(240)、以及位于所述伪栅堆叠两侧的源/漏区(110)，其中所述伪栅堆叠包括伪栅极(220)；b)在所述源/漏区(110)表面形成第一接触层(111)；c)形成覆盖所述第一接触层（111）的层间介质层(300)；d) 去除所述伪栅极(220)或所述伪栅堆叠以形成开口(260)，在所述开口(260)内填充第一导电材料（280）或者填充栅介质层（270）和所述第一导电材料（280），以形成栅堆叠结构；e) 在所述层间介质层(300)中形成接触孔(310)，所述接触孔(310)暴露所述第一接触层（111）或者所述第一接触层（111）和所述源/漏区(110) 的部分区域；f) 在所述部分区域表面形成第二接触层(112)；g) 在所述接触孔(310)中填充第二导电材料，形成接触塞（320）。