[发明专利]一种氮化镓基LED外延层的生长方法无效
| 申请号： | 201010555747.5 | 申请日： | 2010-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN102465334A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 田洪涛 | 申请（专利权）人： | 广东德豪润达电气股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B25/18;C30B29/38;H01L21/205 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 李双皓 |
| 地址： | 519000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化镓(GaN)基LED外延层生长的方法，该方法主要包括在MOCVD反应室生长GaN缓冲层；在HVPE中对缓冲层作退火处理；利用HVPE生长厚膜GaN；在厚膜GaN上生长N型GaN；在MOCVD反应室中生长多量子阱结构和P型GaN。本发明所述方法可具有提高晶体生长质量，减少外延生长时间，从而提高外延光电转化效率，降低外延生长成本等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 led 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基LED外延层的生长方法，其特征是，主要包括以下步骤：(1)于MOCVD反应室中，在蓝宝石衬底表面生长一层GaN缓冲层，冷却到室温，取出，得到生长GaN缓冲层的蓝宝石衬底；(2)将所述生长GaN缓冲层的蓝宝石衬底放入HVPE反应室，升温至1100℃，进行退火300～400秒，缓冲层重结晶，生长非掺杂GaN薄膜；然后再生长N型GaN，冷却到室温取出；(3)放入MOCVD反应室中，生长多量子阱结构和P型GaN。
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