[发明专利]半导体存储单元、器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201010541159.6 | 申请日： | 2010-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102468303A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 霍宗亮;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242;H01L21/762;G11C11/401 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体存储单元、器件及其制备方法。该半导体存储单元，包括：衬底；沟道区，位于衬底上方；栅区，位于沟道区上方；源区和漏区，位于衬底上方，沟道区的两侧；埋层，位于衬底和沟道区之间，由禁带宽度比沟道区材料的禁带宽度窄的材料构成。由于埋层的禁带宽度比沟道区材料的禁带宽度要窄，从而在埋层形成空穴势垒，存储在埋层中的空穴将面临势垒很难泄露出去。通过上述方法，可以提高采用浮体效应的存储单元的信息保持时间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 单元 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储单元，其特征在于，包括：衬底；沟道区，位于所述衬底上方；栅区，位于所述沟道区上方；源区和漏区，位于所述衬底上方，所述沟道区的两侧；埋层，位于所述衬底和沟道区之间，由禁带宽度比所述沟道区材料的禁带宽度窄的材料构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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