[发明专利]一种半导体存储单元、器件及其制备方法无效
| 申请号： | 201010541156.2 | 申请日： | 2010-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102468342A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 霍宗亮;刘明;金林;刘璟;张满红;李冬梅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/49;H01L27/115;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体存储单元、器件及其制备方法。本发明公开的半导体存储单元及器件对传统浮栅器件的多晶硅浮栅采用P型掺杂，碳掺杂等处理工艺，以获得更深的电子存储势阱，从而有效提高器件的数据保持能力。同时引入多层隧穿介质堆叠的隧穿层势垒工程，调制器件的能带结构来获得高擦除速度，从而改善了器件的综合存储特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 存储 单元 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储单元，其特征在于，包括：衬底；在所述衬底上沟道区两端形成的源区和漏区；在所述沟道区上方自下而上依次形成的隧穿层、具有深电子存储势阱的浮栅存储层；在所述浮栅存储层上方形成的控制栅。
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