[发明专利]半导体元件以及增加半导体元件有效运作面积的方法

摘要

一种半导体元件以及增加半导体元件有效运作面积的方法，该增加半导体元件有效运作面积的方法，包含：沉积第一导电层在基板上；使用激光在第一导电层刻划多个第一划线，其被刻划至第一导电层的底面；沉积至少一半导体材料层在第一导电层上以及该多个第一划线中；使用激光在半导体材料层刻划多个第二划线，其被刻划至半导体材料层的底面，各第二划线由多个第二孔洞组成；沉积第二导电层在半导体材料层上及该多个第一划线和该多个第二划线中；使用激光在第二导电层刻划多个第三划线，其被刻划至半导体材料层的底面；第二孔洞经缩小，以缩小第一划线和第二划线之间以及第三划线和第二划线之间的距离。

主权项

一种增加半导体元件有效运作面积的方法，其特征在于，包含以下步骤：沉积第一导电层在基板上；使用激光在第一导电层中刻划出多个第一划线，该多个第一划线被刻划至第一导电层的底面并露出部分基板，每一个第一划线是由多个第一孔洞所组成，每一个第一孔洞是与相邻第一孔洞部分重叠；沉积至少一半导体材料层在第一导电层上以及该多个第一划线中；使用激光在半导体材料层中刻划出多个第二划线，该多个第二划线被刻划至半导体材料层的底面并露出部分第一导电层，每一个第二划线是由多个第二孔洞所组成；沉积第二导电层在半导体材料层上以及该多个第一划线和该多个第二划线中；以及使用激光在第二导电层中刻划出多个第三划线，该多个第三划线被刻划至该半导体材料层的底面并露出部分第一导电层，每一个第三划线是由多个第三孔洞所组成，每一个第三孔洞是与相邻第三孔洞部分重叠；其中第二孔洞经缩小，以缩小第一划线和邻近的第二划线之间的距离以及第三划线和邻近的第二划线之间的距离，藉此增加半导体元件有效运作面积。