[发明专利]半导体芯片和晶片堆叠封装件的制造方法有效
| 申请号： | 201010525017.0 | 申请日： | 2010-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102074497A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 黄善宽;李仁荣;李镐珍;张东铉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/98;H01L23/535 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;王青芝 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体芯片和晶片堆叠封装件的制造方法，所述半导体芯片的制造方法包括以下步骤：在基底的前表面中形成第一通孔；利用第一导电材料在第一通孔中形成第一导电塞，第一导电塞包括在基底中的第一部分和从基底突出的第二部分；利用第二导电材料在第一导电塞的上表面上形成第二导电塞，第二导电塞的横截面面积小于第一导电塞；对基底的后表面进行背部减薄；在基底的经过背部减薄的后表面中形成第二通孔，第二通孔与第一通孔对准。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 晶片 堆叠 封装 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体芯片的方法，所述方法包括以下步骤：在基底的前表面中形成第一通孔；利用第一导电材料在第一通孔中形成第一导电塞，第一导电塞包括在基底中的第一部分和从基底突出的第二部分；利用第二导电材料在第一导电塞的上表面上形成第二导电塞，第二导电塞的横截面面积小于第一导电塞的横截面面积；对基底的后表面进行背部减薄；在基底的经过背部减薄的后表面中形成第二通孔，第二通孔与第一通孔对准。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
