[发明专利]半导体芯片和晶片堆叠封装件的制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体芯片的方法，所述方法包括以下步骤：

在基底的前表面中形成第一通孔；

利用第一导电材料在第一通孔中形成第一导电塞，第一导电塞包括在基底中的第一部分和从基底突出的第二部分；

利用第二导电材料在第一导电塞的上表面上形成第二导电塞，第二导电塞的横截面面积小于第一导电塞的横截面面积；

对基底的后表面进行背部减薄；

在基底的经过背部减薄的后表面中形成第二通孔，第二通孔与第一通孔对准。

2.如权利要求1所述的方法，其中，形成第一通孔的步骤包括：

在基底的前表面上形成第一光致抗蚀剂图案，第一光致抗蚀剂图案具有暴露基底的一部分的开口；

利用第一光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模通过激光打孔法或干蚀刻法去除基底的暴露部分。

3.如权利要求1所述的方法，其中，通过电镀或非电镀覆中的至少一种来形成第一导电塞。

4.如权利要求3所述的方法，其中，形成第一导电塞的步骤包括：

在包括第一通孔的基底的整个前表面上形成种子层，种子层包括铜、钨、金和银中的至少一种；

在包括种子层的基底的整个表面上涂覆光致抗蚀剂，并对光致抗蚀剂进行曝光和显影，形成具有在第一通孔中的开口的第二光致抗蚀剂图案；

利用种子层在基底上执行镀覆第一导电材料的电镀和非电镀覆中的至少一种；

去除第二光致抗蚀剂图案。

5.如权利要求1所述的方法，其中，通过电镀和非电镀覆中的至少一种利用第一导电塞作为种子层形成第二导电塞。

6.如权利要求5所述的方法，其中，形成第二导电塞的步骤包括：

在包括第一导电塞的基底的前表面上涂覆光致抗蚀剂，并对光致抗蚀剂进行曝光和显影，形成具有比第一通孔的横截面面积小的横截面面积的开口的第三光致抗蚀剂图案；

利用第一导电塞作为种子层在基底上执行镀覆第二导电材料的电镀和非电镀覆中的至少一种；

去除第三光致抗蚀剂图案。

7.如权利要求1所述的方法，其中，利用锡铅合金通过焊接形成第二导电塞。

8.如权利要求1所述的方法，其中，第一导电塞和第二导电塞由不同的导电材料形成，

第一导电塞包括铜，第二导电塞包括从铝、钨、金、银和锡铅合金中选择的一种。

9.如权利要求1所述的方法，其中，形成第二通孔的步骤包括：

在经过背部减薄的基底的后表面上涂覆光致抗蚀剂，并对光致抗蚀剂进行曝光和显影，以形成具有暴露经过背部减薄的基底的一部分并与第一通孔对应的开口的第四光致抗蚀剂图案；

利用第四光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模通过激光打孔法或干蚀刻法去除经过背部减薄的基底的暴露部分。

10.一种制造晶片堆叠封装件的方法，所述方法包括以下步骤：

形成部分地暴露基底的前表面的第一光致抗蚀剂图案，所述基底包括输入/输出焊盘；

利用第一光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模形成第一通孔；

去除第一光致抗蚀剂图案；

在包括第一通孔的基底的整个表面上形成金属种子层；

在包括金属种子层的基底的前表面上涂覆光致抗蚀剂，并对光致抗蚀剂进行曝光和显影，以形成具有在第一通孔中并暴露基底的一部分的开口的第二光致抗蚀剂图案；

利用金属种子层对基底执行电镀和非电镀覆中的至少一种，以形成第一导电塞，第一导电塞包括在第一通孔中的第一部分和从基底的前表面突出的第二部分；

去除第二光致抗蚀剂图案；

在基底的前表面上涂覆光致抗蚀剂，并对光致抗蚀剂进行曝光和显影，以形成具有比第一通孔的横截面面积小的横截面面积并暴露基底的一部分的开口的第三光致抗蚀剂图案；

利用第一导电塞作为种子层执行电镀和非电镀覆中的至少一种，以在第一导电塞上形成第二导电塞，第二导电塞具有比第一导电塞的横截面面积小的横截面面积；

去除第三光致抗蚀剂图案；

对基底的后表面进行背部减薄；

在经过背部减薄的基底的后表面上涂覆光致抗蚀剂，并对光致抗蚀剂进行曝光和显影，以形成具有与第一通孔对应并暴露基底的一部分的开口的第四光致抗蚀剂图案；

利用第四光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模在基底中形成第二通孔，第二通孔与第一通孔对准。