[发明专利]一种高介电常数栅介质材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201010520981.4 | 申请日： | 2010-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN102453866A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 王文武;赵超;马雪丽;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/58;C23C16/40;C23C16/56;H01L29/51 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 马佑平 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明通过在高k栅介质材料HfO2中掺入特定量的SiO2成分，并结合优化的热处理工艺形成具有立方晶相或四角晶相的Hf1-xSixOy，进而获得具有较大带隙、更高k值和热稳定性的高k栅介质薄膜材料。并且，本发明提出的高k栅介质薄膜及其形成方法还有利于解决超薄薄膜的结晶化问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介电常数 介质 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高介电常数栅介质材料Hf1‑xSixOy，其特征在于：所述Hf1‑xSixOy具有立方晶相或四角晶相，介电常数为18‑34，所述x的范围为0.02‑0.1。
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