[发明专利]复合隧穿介质层及其制作方法以及非易失性存储器无效
| 申请号： | 201010508106.4 | 申请日： | 2010-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN102446963A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 沈忆华;宋化龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/28;H01L29/788 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种复合隧穿介质层及其制作方法以及非易失性存储器，所述复合隧穿介质层包括一氧化硅层和一SiOxNy层，所述SiOxNy层形成于所述氧化硅层的表面上。本发明的复合隧穿介质层及其制作方法以及非易失性存储器，该复合隧穿介质层阻碍电荷穿过的能力强能有效防止电荷介质层中的电荷穿过该复合隧穿介质层产生漏电现象。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 介质 及其 制作方法 以及 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
一种复合隧穿介质层，其特征在于，包括一氧化硅层和一SiOxNy层；所述SiOxNy层形成于所述氧化硅层的表面上。
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