[发明专利]一种氮化镓基发光二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 201010296115.1 | 申请日： | 2010-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101937953A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 范亚明;王怀兵;郝国栋;刘建平;黄小辉;吴思;孔俊杰;黄强;王峰 | 申请（专利权）人： | 苏州纳晶光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/24 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管，包括：一衬底；设于衬底上的缓冲层；直接外延在缓冲层上的本征GaN层；一N型掺杂GaN外延层，其上设有N型GaN图形化模板结构；一InxGa1-xN/AlaInbGa1-a-bN多量子阱；一AlyGa1-yN或AlyGa1-yN/AlaInbGa1-a-bN超晶格电子阻挡层；一P型GaN层；一ITO接触层；以及P型电极和N型电极；所述N型GaN图形化基底、多量子阱、超晶格电子阻挡层，以及P型GaN层均为曲面结构。本发明开增强了发光二极管器件的出光效率，同时实现发光二极管的宽光谱输出，推动白光照明的发展。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基发光二极管，其特征在于，包括：一衬底；设于衬底上的一缓冲层；直接外延在缓冲层上的一本征GaN层；一N型掺杂GaN外延层，沉积在本征GaN层上；所述N型掺杂GaN外延层上设有N型GaN图形化模板结构；一InxGa1‑xN/AlaInbGa1‑a‑bN多量子阱，生长在N型GaN图形化模板结构之上；一AlyGa1‑yN或AlyGa1‑yN/AlaInbGa1‑a‑bN超晶格电子阻挡层，生长在InxGa1‑xN/AlaInbGa1‑a‑bN多量子阱之上；‑P型GaN层，生长在AlyGa1‑yN或AlyGa1‑yN/AlaInbGa1‑a‑bN超晶格电子阻挡层之上；一ITO接触层，设于P型GaN层之上；在ITO接触层和N型掺杂GaN外延层上分别设置P型电极和N型电极；所述N型GaN图形化模板结构、InxGa1‑xN/AlaInbGa1‑a‑bN多量子阱、AlyGa1‑yN或AlyGa1‑yN/AlaInbGa1‑a‑bN超晶格电子阻挡层，以及P型GaN层均为曲面结构。
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