[发明专利]具有嵌入式静态随机存取存储器的集成电路及其工艺方法

摘要

一种具有嵌入式静态随机存取存储器的集成电路及其工艺方法，该集成电路包括一第一核心，包括一第一逻辑区域，具有一第一栅极介电层厚度和多个第一NMOS晶体管，其中第一NMOS晶体管具有以一第一轻掺杂漏极光掩模所注入的轻掺杂漏极区域；一单端口型的嵌入式静态随机存取存储器区域，具有第一栅极介电层厚度和多个第二NMOS晶体管，其中第二NMOS晶体管具有以一第二轻掺杂漏极光掩模所注入的轻掺杂漏极区域；以及一第一双端口型的嵌入式静态随机存取存储器区域，具有第一栅极介电层厚度和至少一第三NMOS晶体管，第三晶体管具有以第一轻掺杂漏极光掩模所注入的轻掺杂漏极区域。本发明降低待机耗电、与改善的存取速度。

主权项

一种具有嵌入式静态随机存取存储器的集成电路，包括：一半导体基板；一输入输出区域，包括多个第一晶体管，上述第一晶体管具有一第一栅极介电层厚度；一第一核心，包括：一第一逻辑区域，具有多个第二晶体管，其中上述第二晶体管具有一第二栅极介电层厚度以及以一第一轻掺杂漏极光掩模所注入的轻掺杂漏极区域；一第一静态随机存取存储器区域，具有多个第三晶体管，其中上述第三晶体管具有上述第二栅极介电层厚度以及以一第二轻掺杂漏极光掩模所注入的轻掺杂漏极区域；以及一第二静态随机存取存储器区域，具有多个第四晶体管和至少一第五晶体管，其中上述第四晶体管具有上述第二栅极介电层厚度，上述第五晶体管具有以上述第一轻掺杂漏极光掩模所注入的轻掺杂漏极区域。