[发明专利]半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201010279881.7 | 申请日： | 2010-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN102403261A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件的制作方法包括：提供半导体基底；在所述半导体基底表面形成介质层；在同一反应室中，在所述介质层表面形成预定厚度的初始界面层；在所述初始界面层表面依序形成第一介电材料层和第二介电材料层；对所述第二介电材料层和所述第一介电材料层进行刻蚀工艺，直至暴露出所述初始界面层，形成沟槽其中，所述初始界面层的预定厚度大于所述刻蚀工艺的刻蚀深度与第一介电材料层和第二介电材料层厚度之和的差。本发明通过加厚的初始界面层用作刻蚀阻挡的膜层，与需要额外形成由氮化硅所制成的阻挡层的现有技术相比，可以减少制作工序，相对提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制作方法，其特征在于，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底表面形成介质层；在所述介质层表面形成预定厚度的初始界面层；在所述初始界面层表面依序形成第一介电材料层和第二介电材料层；对所述第二介电材料层和所述第一介电材料层进行刻蚀工艺，直至暴露出所述初始界面层，形成沟槽，其中，所述初始界面层的预定厚度大于所述刻蚀工艺的刻蚀深度与第一介电材料层和第二介电材料层厚度之和的差。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
