[发明专利]双极CMOS工艺中的有源区边墙及制造方法

摘要

本发明公开了一种双极CMOS工艺中的有源区边墙，有源区边墙形成于有源区的表面和周围各侧面上并实现对有源区的包覆，有源区边墙的材料为抗反射材料，有源区边墙的厚度满足在后续工艺中对有源区周侧的沟槽内进行离子注入时能够阻挡离子注入到有源区中。本发明还公开了一种双极CMOS工艺中的有源区边墙的制造方法。本发明有源区边墙能够减少光反射率，能获得较好的和可控的光刻胶形貌，能提高对光刻胶关键尺寸的控制能力，有利于获得更小尺寸的光刻图形。

主权项

一种双极CMOS工艺中的有源区边墙，其特征在于：有源区边墙形成于有源区的表面和周围各侧面上并实现对所述有源区的包覆，所述有源区边墙的材料为抗反射材料，所述有源区边墙的厚度满足在后续工艺中对所述有源区周侧的沟槽内进行离子注入时能够阻挡离子注入到所述有源区中。