[发明专利]制备半导体器件结构的方法

摘要

本发明公开了一种制备半导体器件结构的方法，其包括：提供具有栅极结构和栅极间隔区的前端器件层结构，该结构的表面形成有刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层的表面形成聚合物涂层，依次采用第一干法刻蚀和第二干法刻蚀对前端器件层结构进行刻蚀，以获得半导体器件结构，其中第二干法刻蚀的速率小于第一干法刻蚀的速率，且刻蚀方向均垂直于前端器件层结构的表面。上述方法可以有效地控制半导体器件结构中栅极结构的侧壁上的刻蚀阻挡层的厚度，避免了现有技术中的层间介质层出现空洞的现象。

主权项

一种制备半导体器件结构的方法，其特征在于，所述方法包括：提供具有两个或两个以上栅极结构的前端器件层结构，所述栅极结构中相邻栅极结构之间的区域为栅极间隔区，且所述前端器件层结构的表面形成有刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层的表面形成聚合物涂层，采用第一干法刻蚀对所述前端器件层结构进行刻蚀，以去除所述聚合物涂层的位于所述栅极结构之上的部分，并将所述刻蚀阻挡层的位于所述栅极结构之上的部分的厚度减至第一目标值，该第一目标值为100埃至500埃；以及在所述栅极间隔区中采用第二干法刻蚀对所述聚合物涂层和所述刻蚀阻挡层进行刻蚀，以去除剩余的所述聚合物涂层，并使所述刻蚀阻挡层在所述栅极结构的侧壁与所述栅极间隔区的底部形成的角度a大于等于110度，以获得所述半导体器件结构；其中，所述第一干法刻蚀和所述第二干法刻蚀的方向均垂直于所述前端器件层结构的表面，且所述第二干法刻蚀的速率小于所述第一干法刻蚀的速率。