[发明专利]制备半导体器件结构的方法

权利要求书

1.一种制备半导体器件结构的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供具有两个或两个以上栅极结构的前端器件层结构，所述栅极结构中相邻栅极结构之间的区域为栅极间隔区，且所述前端器件层结构的表面形成有刻蚀阻挡层；

在所述刻蚀阻挡层的表面形成聚合物涂层，

采用第一干法刻蚀对所述前端器件层结构进行刻蚀，以去除所述聚合物涂层的位于所述栅极结构之上的部分，并将所述刻蚀阻挡层的位于所述栅极结构之上的部分的厚度减至第一目标值，该第一目标值为100埃至500埃；以及

在所述栅极间隔区中采用第二干法刻蚀对所述聚合物涂层和所述刻蚀阻挡层进行刻蚀，以去除剩余的所述聚合物涂层，并使所述刻蚀阻挡层在所述栅极结构的侧壁与所述栅极间隔区的底部形成的角度a大于等于110度，以获得所述半导体器件结构；

其中，所述第一干法刻蚀和所述第二干法刻蚀的方向均垂直于所述前端器件层结构的表面，且所述第二干法刻蚀的速率小于所述第一干法刻蚀的速率。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括湿清洗步骤，所述湿清洗步骤用于将所述半导体器件结构上残余的所述聚合物涂层完全去除。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述聚合物涂层的厚度为1000埃至5000埃。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述聚合物涂层的材料为聚砜、聚脲、聚脲砜、聚丙烯酸酯或聚乙烯基吡啶。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一干法刻蚀中所使用的气体为包含氧气的刻蚀气体。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二干法刻蚀中所使用的气体为包含碳氟化合物和氧气的刻蚀气体。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述碳氟化合物与氧气之间的体积比为1∶1至1∶10。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材料为SiN或SiON。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述半导体器件结构中，所述刻蚀阻挡层位于所述栅极结构的侧壁的部分的厚度为第二目标值，所述刻蚀阻挡层位于所述栅极间隔区的部分的厚度为第三目标值，所述第一目标值小于所述第二目标值和所述第三目标值，而且所述第三目标值与所述第一目标值的差值小于300埃，所述第二目标值与所述第一目标值的差值小于300埃。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第二目标值为200埃至600埃。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述前端器件层结构中，所述相邻栅极结构之间的最小距离小于等于180纳米。

12.一种制备半导体器件的方法，其特征在于，所述方法包括采用如权利要求1至11中任一项所述的方法获取所述半导体器件结构的步骤，以及在所述半导体器件结构的所述刻蚀阻挡层的表面填充层间介质层的步骤。