[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201010267658.0 | 申请日： | 2010-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN102044559A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 本田成人;楢崎敦司;本并薰 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;徐予红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及其制造方法。提供在具有场板结构和RESURF形成结构的半导体装置的制造工艺中，能够防止抗蚀剂涂敷时的涂敷不均产生、并且谋求照相制版时的聚焦裕度提高的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置在半导体衬底(7)的表面中形成有电极层(8)和凹陷部(12)。进而，在半导体衬底(7)中，形成有与凹陷部(12)的底面和电极层(8)接触的RESURF层。此外，以填充凹陷部(12)的方式，在半导体衬底(7)的上表面(13)形成绝缘膜(15)。此外，在凹陷部(12)的上方的绝缘膜(15)上形成有场板电极(11)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体衬底，具有第一导电型，具有形成了凹陷部的上表面；电极层，具有第二导电型，与所述凹陷部邻接，在所述半导体衬底的表面内形成；RESURF层，具有比所述电极层浓度低的所述第二导电型的杂质，以与所述凹陷部的底面和所述电极层接触的方式在所述半导体衬底内形成；绝缘膜，以填充所述凹陷部的方式在所述半导体衬底的上表面形成；以及场板电极，在所述凹陷部上方的所述绝缘膜上形成。
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