[发明专利]相变存储器相变层的制作方法有效
| 申请号： | 201010267466.X | 申请日： | 2010-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102376884A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 林静;钟旻;杨伟俊;向阳辉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种相变存储器相变材料的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介电层，所述介电层中形成有金属电极，所述金属电极分别位于半导体衬底的P型区域与N型区域上，所述介电层中还具有露出所述金属电极的通孔；在所述介电层与金属电极上形成相变材料，所述相变材料填充满所述介电层中的通孔；对所述半导体衬底进行化学机械抛光，移除所述介电层上的相变材料，所述化学机械抛光过程中，抛光面的光照度低于100勒克斯。本发明的相变存储器相变材料的制作方法通过降低化学机械抛光时抛光面的光照度，有效避免了光致腐蚀现象对相变层的影响，减少了相变层表面凹陷，产品良率也得以提高。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 制作方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器相变层的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介电层，所述介电层中形成有金属电极，所述金属电极分别位于半导体衬底的P型区域与N型区域上，所述介电层中还具有露出所述金属电极的通孔；在所述介电层与金属电极上形成相变材料，所述相变材料填充满所述介电层中的通孔；对所述半导体衬底进行化学机械抛光，移除所述介电层上的相变材料，所述化学机械抛光过程中，抛光面的光照度低于100勒克斯。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010267466.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：OLED照明基板及其制造方法
- 下一篇：相变非易失性存储器及其加工方法
