[发明专利]具有低正向压降的结势垒型肖特基无效
| 申请号： | 201010263163.0 | 申请日： | 2010-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102376777A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 杨忠武 | 申请（专利权）人： | 上海芯石微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201102 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型的结势垒型肖特基器件，包括：衬底层、缓冲层、漂移层、轻掺杂层、抑制区、重掺杂层和肖特基势垒层；若干个相互分离的抑制区位于轻掺杂层和重掺杂层中，当所述的半导体装置加反向偏压时，在轻掺杂层半导体材料中扩展形成大面积耗尽区域。本发明还提供一种半导体器件的制作方法。本发明的半导体器件，具有低的正向压降和高的器件开关速度，对器件的电参数特性进行进一步优化。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 正向 结势垒型肖特基 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于：包括：(a)衬底层，为N传导类型半导体材料；(b)缓冲层，位于衬底层之上，为N传导类型的半导体材料；(c)漂移层，位于缓冲层之上，为N传导类型的半导体材料；(d)轻掺杂层，位于漂移层之上，为N传导类型的半导体材料；(e)重掺杂层，位于轻掺杂层之上，为N传导类型的半导体材料；(f)抑制区，为P传导类型的半导体材料，若干个相互分离的抑制区位于低掺杂层和重掺杂层中；(g)肖特基势垒层，位于重掺杂层之上，形成肖特基势垒结特性。
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