[发明专利]具有低正向压降的结势垒型肖特基无效
| 申请号： | 201010263163.0 | 申请日： | 2010-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102376777A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 杨忠武 | 申请（专利权）人： | 上海芯石微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201102 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 正向 结势垒型肖特基 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于：包括：
(a)衬底层，为N传导类型半导体材料；
(b)缓冲层，位于衬底层之上，为N传导类型的半导体材料；
(c)漂移层，位于缓冲层之上，为N传导类型的半导体材料；
(d)轻掺杂层，位于漂移层之上，为N传导类型的半导体材料；
(e)重掺杂层，位于轻掺杂层之上，为N传导类型的半导体材料；
(f)抑制区，为P传导类型的半导体材料，若干个相互分离的抑制区位于低掺杂层和重掺杂层中；
(g)肖特基势垒层，位于重掺杂层之上，形成肖特基势垒结特性。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述的肖特基势垒层边缘下方的轻耗尽层和重掺杂层中设有肖特基势垒边缘P型扩散保护环。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述的半导体装置边缘的表面设有起保护作用的硅表面保护层。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述的肖特基势垒层是由薄膜势垒金属与重掺杂层顶部的N型半导体材料合金形成。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述的缓冲层的扩散杂质与衬底层的扩散杂质不相同、所述的漂移层的扩散杂质与衬底层的扩散杂质不相同、所述的轻掺杂层的扩散杂质与衬底层的扩散杂质不相同、所述的重掺杂层的扩散杂质与衬底层的扩散杂质不相同。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述的衬底层的杂质掺杂浓度大于或等于1×1018/cm3。
7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述的缓冲层、漂移层、轻掺杂层和重掺杂层的杂质掺杂浓度为1×1014-1×1018/cm3。
8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述的缓冲层的杂质掺杂浓度大于重掺杂层杂质掺杂浓度。
9.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述的重掺杂层的杂质掺杂浓度大于漂移层杂质掺杂浓度。
10.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述的漂移层的杂质掺杂浓度大于轻掺杂层杂质掺杂浓度。
11.一种制造半导体器件的方法，其特征在于：包括如下步骤：
1)在衬底层上通过外延生长方式形成缓冲层、漂移层、轻掺杂层和重掺杂层；
2)通过向重掺杂层半导体材料中注入硼离子再进行高温退火，在轻掺杂层和重掺杂层中形成多个相互分离的P型区作为抑制区，在预定位置的轻掺杂层和重掺杂层中形成肖特基势垒边缘P型扩散保护环，同时在半导体装置边缘的表面形成硅表面保护层；
3)在重掺杂层上淀积一层势垒金属，通过低温合金在重掺杂层表面N型区形成肖特基势垒层，在抑制区表面形成欧姆接触区。
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